测试与失效分析

Testing and Failure Analysis
表面形貌分析
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X射线光电子能谱仪（XPS）

设备型号：PHI 5000 VersaProbe III
针对各类储能业务需求，TIES力图发展成为布局全面，面向市场，集测试分析、失效分析、资质认证、技术开发、工程放大、智能制造、高价值信息服务、高端培训为一体的研发型企业。 联系我们

技术参数

1. 能量分辨率：Ag3d5/2峰位FWHM < 0.48eV；C1s谱中O=C-O峰位FWHM < 0.82eV 

2. 最小x-ray 束斑：<10.0μm（x轴）；<10.0μm (y轴) 

3. Ar离子溅射枪最大束流：>5.0μA @5kV

4. Ar离子/C60离子溅射枪差分气压：< 6.7x10-6 Pa (5x10-8Torr) 

5. Ar气团簇离子枪的最大电流：>40nA @ 20kV 

6. Ar气团簇离子最小束斑：500 μm @ 20 kV

7. 样品台的冷热性能：-140°C~800°C  


应用范围

无机化合物、合金、聚合物、能源电池、表面缺陷（腐蚀，异物，污染，分布不均等）、表面多层薄膜等
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扫描电子显微镜（SEM）
技术参数二次电子分辨率：0.8 nm (加速电压 15 kV) (标准模式，非任何减速模式下)1.1 nm (加速电压 1 kV)(减速模式)放大倍数：20 到 1000k         加速电压：20-1000k电位移：±12μm(WD=8mm)光阑：4孔物镜活动光阑系统：内置自清洁装置（孔径30、50、50、100μm）探测器：低位（Lower）、高位（Upper）二次电子探测器、高位过滤背散射探头信号选择：二次电子像、背散射电子像、混合像快速换样系统：100mm直径大样品交换仓，换样时间30秒真空转移系统：日立原装真空转移系统能谱仪：布鲁克60mm2能谱应用范围1、加速电压减速功能，具有波长较短、像差较小、分辨力高的一系列优点，降低样品损伤的同时，可以获得低电压高分辨的图像。2、SE/BSE信号按比例接收功能，电镜配有低位（Lower），高位（Upper）二次电子探测器，高位过滤背散射探头，可以通过改变透镜内变换电极的电压，让检测器捕捉到二次电子及背散射电子，以任意比例（100级）混合，达到最 佳对比度的观察，抑制荷电、边缘效应，从而获得对比度最 佳的SEM像。

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飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）
技术参数1)低质量时质量分辨率：m/z = 28 (Si+)和29 (SiH+) 的m/∆m ≥ 12,0002)高质量时质量分辨率：m/z > 200的m/∆m ≥ 16,0003)绝缘材料质量分辨率：PET标准样品m/z = 104的m/∆m ≥ 12,0004)质量范围：1～12000 amu以上5)质量精度：< 2 mu @ m < 100 u；< 10 ppm @ m > 100 u6)空间分辨率：水平空间分辨率：≤ 70nm7)灵敏度：m/z = 27时 ≥ 5.5 ×108 Al+ cts / nanocoulomb8)信噪比：≥ 2 × 1059)GCIB团簇离子源能量范围：1keV ~ 20 keV应用范围TOF-SIMS被广泛应用于各种材料开发，材料剖析，多层薄膜/结构剖析与失效机理的分析和研究具有不可替代的作用。研发领域：半导体器件、纳米器件、生物医药、量子结构、能源电池材料等高新技术：高分子材料、金属、半导体、玻璃陶瓷、纳米镀层、纸张、薄膜、纤维等

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