天目湖先进储能技术研究院

技术参数

1)低质量时质量分辨率：m/z = 28 (Si+)和29 (SiH+) 的m/∆m ≥ 12,000

2)高质量时质量分辨率：m/z > 200的m/∆m ≥ 16,000

3)绝缘材料质量分辨率：PET标准样品m/z = 104的m/∆m ≥ 12,000

4)质量范围：1～12000 amu以上

5)质量精度：< 2 mu @ m < 100 u；< 10 ppm @ m > 100 u

6)空间分辨率：水平空间分辨率：≤ 70nm

7)灵敏度：m/z = 27时 ≥ 5.5 ×108 Al+ cts / nanocoulomb

8)信噪比：≥ 2 × 105

9)GCIB团簇离子源能量范围：1keV ~ 20 keV

应用范围

TOF-SIMS被广泛应用于各种材料开发，材料剖析，多层薄膜/结构剖析与失效机理的分析和研究具有不可替代的作用。

研发领域：半导体器件、纳米器件、生物医药、量子结构、能源电池材料等

高新技术：高分子材料、金属、半导体、玻璃陶瓷、纳米镀层、纸张、薄膜、纤维等